科委檢測中心招聘失效分析崗位

時間：2020-05-21

作者：儀準科技（北京）有限公司

詞條
詞條說明
FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
產業*解讀功率半導體行業
*簡介三年以上**半導體企業工作經驗，曾任職于Infineon（英飛凌）、Nexperia(安世)，對功率半導體行業有著深刻的洞察力。紀要內容功率半導體的分類，*三代半導體材料特性，市場的信息，**的一些主流的玩家，國內上升趨勢非常好的一些公司。目前**的功率半導體器件主要由歐洲、美國、日本三個國家和地區提供，他們憑借**的技術和生產制造工藝，以及良好的品質管理體系，大約占據了**70％的市場
Decap芯片內開封類型原理及應用
Decap開封類型原理及應用儀準 AA探針臺轉載請寫明出處Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做*局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準備，方便觀察或做其他測試（如FIB,EMMI），Decap后功能正常。去封范圍：普通封裝 COB
晶柱切片后處理
《晶柱切片后處理》硅晶柱長成后，整個晶圓的制作才到了一半，接下必須將晶柱做裁切與檢測，裁切掉頭尾的晶棒將會進行外徑研磨、切片等一連串的處理，最后才能成為一片片**非凡的晶圓，以下將對晶柱的后處理制程做介紹。切片（Slicing）長久以來經援切片都是采用內徑鋸，其鋸片是一環狀薄葉片，內徑邊緣鑲有鉆石顆粒，晶棒在切片前預先黏貼一石墨板，不僅有利于切片的夾持，較可以避免在最后切斷階段時鋸片離開晶棒