Decap芯片內開封類型原理及應用

時間：2019-02-27

作者：儀準科技（北京）有限公司

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FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
再談光刻機
有位讀者給《光刻機之戰》留言，說德國蔡司才是真正的王者，怎么自己不做光刻機呢。這還真不是個蠢問題，尼康和佳能都做蔡司為什么不能做呢？其實蔡司還真做過光刻機。在我翻譯的《ASML's Architects》(暫定名：阿斯麥傳奇)一書里，有詳細地講到蔡司的故事。中間很多不為人知的往事，讓我今天決定抽取一點細節發散聊一下。一蔡司公司迄今已經**過170年歷史，中間的風風雨雨不敢多講，我們從二戰開始
芯片漏電分析手段被誤導了很多年
一提到IC漏電定位大家都認為只有OBIRCH，甚至現在可笑的是認為OBIRCH是一種設備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識。 OBIRCH其實只是一種技術，是早年日本NEC發明并申請了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內部有微小電流流過，同時在芯片表面用激光進行掃描。激光掃描的同時，對微小電流進行監測，當激光掃到某個位置，電流發生較大變化，設備對這個點進行標記，也就是說這個位置即為
微光顯微鏡技術介紹
儀準科技*生產的微光顯微鏡，失效分析設備，失效分析實驗室建設就半導體元器件故障失效分析而言，微光顯微鏡EMMI是一種相當有用且效率較高的分析工具。主要偵測IC內部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會放出光子(Photon)。舉例說明：在P-N 結加偏壓，此時N阱的電子很*擴散到P阱，而P的空穴也*擴散至N然後與P端的