芯片分析方法

時間：2020-04-01

作者：儀準科技（北京）有限公司

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失效分析FA常用工具介紹
失效分析FA常用工具介紹；透射電鏡（TEM）；TEM一般被使用來分析樣品形貌（morholog；與TEM需要激發二次電子或者從樣品表面**的電子；然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品；對于晶體材料，樣品會引起入射電子束的衍射，會產生；對于TEM分析來說*為關鍵的一步就是制樣；集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機械；俄歇電子（AgerAna 失效分析常用工具介紹透射電鏡（TE
透視半導體測試設備：芯片良率的捍衛者
透視半導體測試設備：芯片良率的捍衛者從兩起并購說起 2018年3月，美國半導體設備制造商KLA-Tencor花34億美元現金加股票鯨吞了以色列半導體設備制造商奧寶科技。無*有偶，兩個月后，先前向美國外國投資**（CFIUS）打小報告的美國半導體企業科休（Cohu）宣布將以7.96億美元現金加股票收購Xcerra。這兩起并購都發生在半導體測試設備領域，引起了各方的高度關注。本次就讓我們窺探半
FIB功能介紹
FIB - SEM雙束系統在微電子領域的應用隨著半導體電子器件及集成電路技術的飛速發展，器件及電路結構越來越復雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統所具備的強大的精細加工和微觀分析功能，使其廣泛應用于微電子設計和制造領域。基本原理： FIB - SEM雙束系統是指同時具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，FIB）和掃描電子顯微鏡（
晶柱成長制程
《晶柱成長制程》硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。長晶主要程序︰融化（MeltDown）此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來