x-ray測試

時間：2020-03-23

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
微電子失效分析方法總結
微電子失效分析方法總結失效分析趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測分
常用失效分析方法
芯片常用分析手段： 1、X-Ray 無損偵測，可用于檢測 IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接開路、短路或不正常連接的缺陷封裝中的錫球完整性 2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡可對IC封裝內部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ 晶元面脫層錫球、晶元或填膠中的裂縫封裝材料內部的氣孔各種孔洞
電子元器件失效分析方法經驗
失效分析常用方法匯總芯片在設計生產使用各環節都有可能出現失效，失效分析伴隨芯片全流程。這里根據北軟檢測失效分析實驗室經驗，為大家總結了失效分析方法和分析流程，供大家參考。一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: 檢測內容包含： 1.材料內部的晶格結構、雜質顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。二、 X－Ray（X光檢測），屬于無損檢查: X-R
晶柱成長制程
《晶柱成長制程》硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。長晶主要程序︰融化（MeltDown）此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來