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# 可控硅模塊選型的三大核心要素在工業控制和電力電子領域,PRX可控硅模塊的選型直接關系到系統運行的可靠性和效率。電壓電流參數是首要考慮因素,額定電壓應至少高于實際工作電壓20%-30%,以應對電網波動和瞬態過電壓。電流容量則需根據負載最大工作電流確定,同時考慮散熱條件和環境溫度對載流能力的影響。觸發方式的選擇同樣關鍵,常見的有過零觸發和移相觸發兩種。過零觸發適用于電阻性負載,能有效減少對電網的諧
英飛凌IGBT模塊概述英飛凌IGBT模塊作為電力電子領域的核心器件,憑借其卓越的性能和可靠性,已成為工業自動化、新能源發電、電動汽車等領域的首選功率半導體解決方案。英飛凌IGBT模塊融合了MOSFET快速開關特性與雙極型晶體管低導通壓降優勢,具有高輸入阻抗、高速開關、低導通損耗等顯著特點,能夠滿足各種嚴苛應用環境下的功率轉換需求。作為一家專業代理英飛凌等國際知名品牌功率半導體器件的企業,我們深知
西門子可控硅模塊是一種專門設計用于控制和調節電流的半導體設備。它是一種基于硅材料的固態電子器件,具有快速導通和低損耗的特點,因此在電力電子應用中發揮著至關重要的作用。西門子可控硅模塊的主要組成部分包括可控硅半導體管和相關電子元件。這些模塊通常被設計成能夠承受高電壓和大電流,以適應各種工業和電力系統應用。具體來說,可控硅模塊的主要功能包括:1. 電流調節:可控硅模塊能夠根據預設的電流值來調節通過其的
在現代電力電子技術領域,富士IGBT模塊作為高端功率器件的重要組成部分,憑借其卓越的性能和可靠的質量,成為眾多工業應用的首選。本文將深入探討富士IGBT模塊的工作原理,幫助讀者更好地理解這一關鍵器件的工作機制及其在實際應用中的優勢。IGBT模塊的基本概念IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。它結合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降優點,在電力電子設備
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
郵 編:
網 址: qiwodz.cn.b2b168.com
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