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方法一:測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時,就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時.就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如果測得T1
整流橋作為電力電子領域中的核心元器件,其性能優劣直接關系到整個電力系統的穩定性和效率。江蘇作為我國電子元器件產業的重要基地,整流橋模塊的生產和應用在全國占據重要地位。本文將為您詳細解析江蘇整流橋模塊的主要區別,幫助您在選擇時做出更明智的決策。一、品牌差異帶來的性能區別江蘇市場上常見的整流橋模塊品牌眾多,主要包括英飛凌、歐派克、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、富士、三菱等國際知名品牌。這些品牌在整
在現代工業自動化與電力控制領域,可控硅模塊作為一種關鍵的功率半導體器件,發揮著不可替代的作用。本文將圍繞可控硅模塊的基本原理、核心功能以及應用優勢,深入解析其在電力電子技術中的重要性。可控硅模塊,又稱晶閘管模塊,是一種將多個可控硅芯片及相關電路集成于一體的高性能功率器件。它通過模塊化設計,將復雜的電力控制功能濃縮于緊湊的結構中,不僅提升了系統的可靠性,還簡化了安裝與維護流程。這種模塊具備高電壓、大
在現代電力電子技術飛速發展的今天,各類高效能半導體器件已成為推動行業進步的重要力量。其中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領域的核心器件,憑借其卓越的性能特點,在眾多應用場景中發揮著關鍵作用。英飛凌IGBT作為全球功率半導體領域的領先產品,其技術特性和應用價值尤為值得關注。英飛凌IGBT的技術特性英飛凌IGBT融合了MOSFET的快速開關特性與雙極型晶體管的低導通壓降優勢,形成了一種獨特
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
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微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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