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其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結溫的特點,可以達到175℃。為了充分發揮其高工作結溫特點,新一代PrimePACK?2封裝結合較新的.XT技術和新的設計方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅動對
WESTCODE相控可控硅平板形IXYS UK Westcode ltd 西碼提供行業內較全面的標準相位控制晶閘管(相控可控硅)。電壓范圍從600V到4500V的設備是可用的,使它們適用于電壓從230V到1000V以上的線路(我們的中壓晶閘管現在提供較高的電壓應用)。IXYS UK Westcode ltd是一家良好的相位控制產品供應商,產品涉及工業直流驅動器、感應熔煉、船舶/鐵路推進系統、風力發
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor?module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、
1、防止反向電動勢沖擊單向可控硅模塊,導致損壞。2、可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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