單向可控硅模塊里的二極管是起什么作用?

時間：2021-04-16

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡介
IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上
可控硅模塊
特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。1．極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結果后，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。2．單負導電性能
二極管模塊應如何選型呢？
1、快恢復二極管模塊快恢復二極管是一種能快速從通態轉變到關態的特殊晶體器件。導通時相當于開關閉合（電路接通），截止時相當于開關打開（電路切斷）。特性是開關速度快，快恢復二極管能夠在導通和截止之間快速轉化提高器件的使用頻率和改善波形。快恢復二極管模塊分400V快恢復二極管模塊，600V快恢復二極管模塊，1200V快恢復二極管模塊等。2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極，以N型半導體B為負極利用二
英飛凌IGBT模塊檢測方法
英飛凌IGBT模塊檢測方法：測試方式：用萬用表只能測量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標準：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現二極管檔有讀數，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導通狀態，電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1