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一、可能的原因和影響因素· 晶振自身特性1)品質因數(Q值):Q值是衡量晶振性能的重要指標,表示儲存能量與損耗能量的比值。低Q值的晶振在啟動時需要莄長時間來積累能量并達到穩定振蕩狀態。2)老化現象:晶振隨著使用時間的增長,會出現頻率漂移、Q值降低和諧振阻抗增加等問題,這些都會導致起振時間延長。·?電路設計1)負載電容:晶振兩端接入的負載電容值會直接影響啟動時間。較大的負載電容需要莄長時間
晶體諧振器構造?先,晶體諧振器里面的晶體指的是石英晶體,化學式是二氧化硅SiO2。石英的特點是:熱膨脹系數小、Q值高、絕緣等。石英可以做成晶體諧振器,主要是利用了壓電效應。壓電效應又分為正壓電效應和逆壓電效應,以下是百度百科對其的定義:意思對應下圖:↓晶體的構造示意圖如下:↓上圖左邊是晶體構造的示意圖,右邊是我們常見的晶振的符號根據對之前壓電效應的理解,晶體可以將電能轉化為機械能,然后機械能又能轉
Deepseek等AI趨勢下,光收發模塊年增長率高達56.5%
科技熱點觀察近期,中國AI初創公司DeepSeek憑借其DeepSeek-R1、V3等系列開源模型,以級低的成本實現了與ChatGPT相比較甚至趕越的性能,這一消息在業界引起了軒然大波,對傳統的“算力為王”和“scaling law”觀念提出了挑戰。與此同時,馬斯克旗下的Grok 3大模型也即將發布,他聲稱這是地球上蕞聰明的人工智能,具有較強的推理能力。而馬斯克的“死對頭”、OpenAI公司CEO
在晶體的振蕩電路中一般會設計兩個電阻,一個是跨接在晶振兩端,叫做反饋電阻Rf;一個接在IC的輸出端,叫做限流電阻RD;同晶體相連旁接的電容稱之為負載匹配電容,通過調整.容值的大小可以改變振蕩電路的頻率,而這些波形頻率測試就可以觀察的到。1、反饋電阻Rf:晶體串聯的主芯片內部是一個線性運算放大器,將輸入進行反向180度輸出,晶振處的負載電容提供另外180度的相移,整個環路的相移呈360度,滿足振蕩的
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小型化YOV1409SM 恒溫振蕩器OCXO 小體積SMD 溫度穩定度正5ppb

高穩YOV2020DP 國產化恒溫晶振 全國產材料 尺寸20.2x20.2x10 電壓3.3V和5V

差分溫補晶振YSO251PJ 頻率15至2100MHz 低相位抖動0.25ps typ. 3.3V

高頻差分振蕩器YSO211PJ 156.25MHZ 2.5V FS50PPM LVDS 負40至85度 OI8BIB112156.25M

表晶YT38 32.768KHZ 12.5PF FS10PPM X308032768KGB2SCM

晶體 無源晶振 YSX530SC 8MHZ 20PF FS20PPM 負40至125度 XB50328MSB2SA18

石英差分振蕩器YSO231LJ 156.25MHZ 3.3V FS50PPM 負40至85度 LVPECL OL3EIC112156.25M

石英溫補壓控振蕩器YSV531PT 10MHZ 3.3V 負40至85度 牽引FS8PPM CMOS VT8EIFVT10M