熔斷器的主要作用是什么？

時間：2020-05-12作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：664

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  詞條說明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高

• 英國西碼WESTCODE可控硅模塊PP601-13 量大從優全新中頻爐晶閘管

  品牌WESTCODE規格型號PP601-13編號PP601-13計量單位1個付款方式面議參考價格50價格單位人民幣供貨量不限說明書，報價手冊及驅動暫無其他資料暫無相關產地英國發貨地昆山產品詳情英國西碼WESTCODE可控硅模塊PP601-13? 量大從優全新中頻爐晶閘管銷售部分型號：PP601-226PP601-222PP601-220PP601-218PP601-212PP601-20

• WESTCODE相控可控硅平板形

  WESTCODE相控可控硅平板形IXYS UK Westcode ltd 西碼提供行業內較全面的標準相位控制晶閘管(相控可控硅)。電壓范圍從600V到4500V的設備是可用的，使它們適用于電壓從230V到1000V以上的線路(我們的中壓晶閘管現在提供更高的電壓應用)。IXYS UK Westcode ltd是一家良好的相位控制產品供應商，產品涉及工業直流驅動器、感應熔煉、船舶/鐵路推進系統、風力發

• 【二極管模塊】二極管的工作原理

  二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電