雙向可控硅的產品判別，測量方法和參數符號

時間：2015-10-23

作者：武漢武整機電有限公司

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可控硅元件——可控元件的結構
可控硅元件—可控硅元件的結構 l?一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以**上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管較初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。 l?在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)較為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀
雙向晶閘管的工作原理與構造
??? 雙向晶閘管的工作原理雙向晶閘管與單向晶閘管一樣，也具有觸發控制特性。不過，它的觸發控制特性與單向晶閘管有很大的不同，這就是無論在陽極和陰極間接入何種極性的電壓，只要在它的控制較上加上一個觸發脈沖，也不管這個脈沖是什么極性的,都可以使雙向晶閘管導通。由于雙向晶閘管在陽、陰極間接任何極性的工作電壓都可以實現觸發控制，因此雙向晶閘管的主電極也就沒有陽極、陰極之分，
可控硅整流器的結構以及相關優勢
? ? ? ?可控硅整流器，是一種以晶閘管(電力電子功率器件)為基礎，以智能數字控制電路為**的電源功率控制電器。具有效率高、無機械噪聲和磨損、響應速度快、體積小、重量輕等諸多優點。晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱，又稱作可控硅整流器(SiliconControlledRectifier——SCR)，以前被簡稱為可控硅。由于其能承受的電壓和電
什么是雪崩二極管
??? 雪崩二極管是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。 ??? 雪崩擊穿是在電場作用下，載流子能量增大，不斷與晶體原子相碰，使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對，這就是倍增效應。1生2，2生4，像雪崩一樣增加載流子。齊納擊穿完全不同，在高的反