富士IGBT的常見(jiàn)應(yīng)用場(chǎng)合

時(shí)間：2023-10-31作者：深圳市寶安區(qū)誠(chéng)芯源電子商行瀏覽：1119

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• 【回收富士IGBT】IGBT逆變焊機(jī)基礎(chǔ)知識(shí)

  IGBT逆變焊機(jī)基礎(chǔ)知識(shí)一、關(guān)于逆變焊機(jī)1、什么叫逆變焊機(jī)采用逆變技術(shù)的弧焊電源稱為逆變焊機(jī)。逆變過(guò)程需要大功率電子開(kāi)關(guān)器件，采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件的逆變焊機(jī)稱為IGBT逆變焊機(jī)。2、逆變焊機(jī)工作原理整流濾波電路：將三相380V/50Hz的交流電進(jìn)行整流后，獲得540V直流電；逆變回路：采用IGBT模塊，將上一步所獲得的直流電變換成幾千至幾萬(wàn)Hz的中頻交流電（焊機(jī)頻率通常采用20K Hz）；中頻

• 一文讀懂IGBT模塊特點(diǎn)及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

  IGBT的工作原理IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)

• 【回收英飛凌IGBT】IGBT測(cè)試儀

  1、系統(tǒng)概述現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及高性能之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其