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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
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選擇使用IGBT時需要考慮以下幾個因素:電流和電壓要求:根據應用需求確定所需的電流和電壓等級,確保選用的IGBT能夠承受和適應工作條件下的電流和電壓。開關速度:根據應用需要確定所需的開關頻率和響應時間,選擇具有恰當開關速度的IGBT,以確保它能夠在給定的操作頻率下正常工作,并滿足快速響應的要求。功率損耗:考慮IGBT的導通和開關損耗,以確定在負載條件下所需的散熱能力和冷卻要求。低導通和開關損耗的I
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公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
聯系人: 劉經理
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