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碲化鍺靶材:半導體產業的新星材料 碲化鍺(GeTe)作為一種半導體材料,近年來在電子器件、相變存儲器和紅外光學領域嶄露頭角。其獨特的性能使其成為靶材應用中的熱門選擇,尤其是在薄膜沉積技術中表現突出。 碲化鍺靶材的核心優勢在于其優異的電學和光學特性。它具有較高的載流子遷移率,能夠滿足高速電子器件的需求。同時,GeTe在相變過程中表現出顯著的非晶態與晶態電阻差異,這一特性使其成為相變存儲器(PCM)
硒化鎵靶材:半導體制造的關鍵材料 硒化鎵(GaSe)靶材是一種重要的半導體材料,廣泛應用于光電探測器、太陽能電池、非線性光學器件等領域。其獨特的層狀結構和優異的電學性能,使其成為現代半導體行業不可或缺的材料之一。 硒化鎵靶材的特性 硒化鎵屬于III-VI族化合物半導體,具有層狀六方晶體結構,各層之間通過范德華力結合,這使得它容易剝離成薄片。這種結構賦予硒化鎵良好的光學和電學性能,例如較高的載流子
氮化鋁靶材:半導體制造中的關鍵材料氮化鋁靶材在現代半導體工業中扮演著不可替代的角色,這種特殊材料因其獨特的物理化學性質而備受關注。作為薄膜沉積工藝的核心組件,它的性能直接影響著最終產品的質量與可靠性。這種靶材最顯著的特點是具有極高的熱導率和優異的電絕緣性能。在高溫工作環境下,它能保持結構穩定性,不會輕易發生變形或開裂。同時,其熱膨脹系數與硅基板匹配良好,這一特性在半導體封裝領域尤為重要,能有效減
鋁鈧合金靶材:新一代半導體材料的突破方向 鋁鈧合金靶材作為一種新型功能材料,近年來在半導體、顯示面板和光伏領域展現出巨大潛力。這種合金材料結合了鋁的輕質特性和鈧元素的獨特性能,為高端鍍膜工藝提供了更優解決方案。 鋁鈧合金靶材最顯著的優勢在于其優異的導電性和熱穩定性。鈧元素的加入顯著提高了純鋁靶材的耐高溫性能,使其在長時間濺射過程中保持結構穩定,減少靶材表面裂紋和顆粒飛濺現象。這一特性對于制備高性
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