硅麥克風純MEMS與CMOS工藝的差異

時間：2016-03-21

作者：深圳市藍之宇電子有限公司

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《新形勢下MEMS產業結構和技術發展趨勢》研討會在蘇州納米城圓滿落幕
2015年，在《地區集成電路產業發展推進綱要》等地區政策的推動下，千億級地區集成電路產業股權投資基金撬動作用逐漸顯現，“中國制造2025”、“互聯網+”等地區戰略的陸續實施也將有力支撐國內產業實現跨越發展，在《中國制造2025》**領域技術圖，其中六大領域都明確了傳感器的重要意義和戰略地位，MEMS產業作為其中具有戰略地位的一環，在產業中地位凸顯。展望未來，微型化、智能化、多功能化和網絡化傳感器將
硅麥克風純MEMS與CMOS工藝的差異
多數企業所開發的MEMS微麥克風主要分為兩種形態：**種是利用**的MEMS代工廠制造出MEMS IC，再加上一個ASIC放大器，將MEMS IC及ASIC IC用SIP封裝方式封裝成MEMS麥克風芯片。這一部分在IC封裝過程中**保護振膜不被破壞，其封裝成本相對較高；另一種是先利用CMOS晶圓廠制造出ASIC部分，再利用后工藝來形成MEMS的結構部分。其MEMS工藝技術目前似乎還無法在標準的CM
什么是硅麥靈敏度？
硅麥靈敏度是指硅麥在一定強度的聲音作用下輸出電信號的大小。靈敏度高，表示硅麥的聲一電轉換**，對微弱的聲音信號反應靈敏。技術上常用在0.1pa[μBar（微巴）]聲壓作用下硅麥能輸出多高的電壓來表示靈敏度。如某硅麥的靈敏度為1mV/μBar，即表示該硅麥在1μBar聲壓作用下輸出的信號電壓為1mV。習慣上也常用DB來表示硅麥的靈敏度。一般靈敏度有-48dB~-66dB(國內標準）；**標準的-3
傳感器電路內部的七大噪聲
電路設計是傳感器性能是否優越的關鍵因素，由于傳感器輸出端都是很微小的信號，如果因為噪聲導致有用的信號被淹沒，那就得不償失了，所以加強傳感器電路的抗干擾設計尤為重要。在這之前，我們**了解傳感器電路噪聲的來源，以便找出較好的方法來降低噪聲。總的來說，傳感器電路噪聲主要有一下七種：低頻噪聲低頻噪聲主要是由于內部的導電微粒不連續造成的。特別是碳膜電阻，其碳質材料內部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續