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plasma等離子處理TEOS工藝沉積二氧化硅薄膜的光譜研究
二氧化硅薄膜是一種性能優良的介質材料,它具有介電性能穩定,介質損耗小,耐潮性好,溫度系數好等優點,具有較其穩定的化學性和電絕緣性。因此,二氧化硅在集成電路工藝中的應用很廣泛。? ? ? ? 正是由于二氧化硅薄膜在集成電路工藝中應用的廣泛性,所以需要制備具有不同特性的二氧化硅薄膜,這就意味著要不斷研發出各種新型的薄膜沉積技術。近年來,常壓plasma等離子處理
**場效應晶體管(OFETS)是一種有源裝置,它能夠通過改變柵較電壓來改變半導體層的導電特性,然后操縱通過源漏較的電流。**場效應晶體管作為電路中的基本元件,以其低功耗、高阻抗、、可大面積生產等優點,受到了廣泛的重視,并得到了迅速的發展。其組成元器件主要由電極、**半導體、隔熱層和基板組成,這些元件對OFET的性能有很大影響。通過電漿清洗機對電極、**半導體、絕緣層和基片進行處理,提高了材料的功能
?大氣等離子清洗機設備安裝靈便簡易,可與智能化生產流水線在線運用。利用等離子體內各種高能物質的活(化)影響,去除附著在物體表層的污垢。其基本原理:在氧等離子體中的氧原子自由基、刺激性氧分子、電子和紫外光線的相同影響下,油污分子結構后面被氧化變成水和CO2分子結構,并從物體表層去除。大氣直噴等離子清洗機廣泛應用于玻璃光學、手機制造、印刷、包裝等諸多行業。? ? &nbs
?等離子處理機誘導產生的活性種(例如自由基等),提供了表面二(乙二醇)甲醚分子碎片再次相結合做好反應的機制。自由基落入成的分子網絡中,可觸發劇烈的電子激發原位氧化反應。?對等離子處理機處理后的鋁片分子層構造做ATR-FTIR剖析,在1583.07cm處有個較強的吸收峰,這也是PEG構造中C-O鍵的特征吸收峰,表明沉積的表面層是類PEG構造。1780.21cm處的吸收峰,說明有C
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