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肖特基二管的優勢SBD的主要優點包括兩個方面:1)由于肖特基勢壘高度PN結勢壘高度,故其正向導通和正向壓降都比PN結二管低(約低0.2V)。2)由于SBD是一種多數載流子導電器件,不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,不同于PN結二管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少,故開關速度非常快,開關損耗也特別小,尤其適合于高頻應用。肖特基二管
5V2.4A驅動控制芯片電源適配器CR6248應用資料本文講述了一個基于原邊控制方式的充電器/適配器設計,包括芯片的特征和詳細的工作原理,以及設計技巧。CR6248 芯片特性:?● CR6248 內置 600V 高壓功率 MOSFET,反激式原邊檢測 PWM 功率開關;● 內置軟啟動,減小 MOSFET 的應力,內置斜坡補償電路;● 較低的 IC 功耗;● 具有頻率抖動功能,使其具有良好
CR6248 CR6348 是一款高能效恒流恒壓原邊功率開關芯片
CR6248 CR6348是一款應用在18W以內AC/DC充電器和電源適配器的離線式功率開關,AC264V待機功耗小于75mW。CR6248 CR6348內部采用了多模式控制的效率均衡技術,用于優化芯片系統待機功耗和提升效率,同時采用了初級電感量補償技術和內部集成的輸出線電壓補償技術,保證了系統在全電壓范圍內輸出恒定的功率,及多種保護功能。CR6248 CR6348 特點1.內置高壓功率開關MOS
啟達啟臣微CR6855升級為CR6890H 20V3A方案資料
啟達啟臣微CR6855升級為CR6890H 20V3A方案資料CR6890H 芯片特性:● SOT23-6 封裝的副邊 PWM 反激功率開關;● 帶有 Peak_load 升頻功能;● 內置軟啟動,減小 MOSFET 的應力,斜坡補償電路;● 65kHz 開關頻率,具有頻率抖動功能,使其具有良好的 EMI 特性;● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP 自動恢復等保護功能;● 電路結構簡單
公司名: 深圳市維品佳科技有限公司
聯系人: 陳小姐
電 話: 0755-83295855
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地 址: 廣東深圳福田區振中路鼎城**大廈605
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