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IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反
測試可控硅模塊的升溫3個方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。1、可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環
熔斷器又稱為保險絲,是用于保護電路的安全設備。它們安裝于各種供電設和負載之間,電流過高時便會觸發熔斷器工作(俗稱“燒斷”),把負載從電源中斷開,減低過流造成設備損壞甚至引起火災的風險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換,這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復位的。不過保險絲價格便宜,而且容易替換。新的保險絲應該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成為各種應用的的**助
可控硅的工作原理和主要作用一、可控硅的工作原理為:1、要使晶閘管導通,一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制較G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通后,松開按鈕開關,去掉觸發電壓,仍然維持導通狀態。2、但是,如果陽極或控制較外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。控制較的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通,卻不能使它關斷。使導通的晶閘管關斷,可以斷開陽極電源(圖3中的開關
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