詞條
詞條說明
可控硅簡介可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中,可作為大功率驅動器件,實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于
二極管和二極管模塊有什么區別二極管算是半導體家族中的元老了,早在**次世界大戰末期就已出現晶體檢波器,從1930年開始,半導體整流器開始投入市場。二極管模塊分為:快恢復二極管模塊,肖特基二極管模塊,整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管,一般電流在幾個安培以內,電壓較高1000多V,但是反向恢復素很快,只有
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源較(即發射較E)。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector),它是IGBT特有
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結溫的特點,可以達到175℃。為了充分發揮其高工作結溫特點,新一代PrimePACK?2封裝結合較新的.XT技術和新的設計方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅動對
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
聯系人: 林女士
電 話: 0512-36886603
手 機: 15995613456
微 信: 15995613456
地 址: 上海奉賢上海市奉賢區奉浦工業區奉浦大道111號7樓3247室
郵 編:
網 址: holny.cn.b2b168.com
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
聯系人: 林女士
手 機: 15995613456
電 話: 0512-36886603
地 址: 上海奉賢上海市奉賢區奉浦工業區奉浦大道111號7樓3247室
郵 編:
網 址: holny.cn.b2b168.com