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小家電方案CR3215A,內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOS
方案CR3215A中的內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOS是一種高性能的電子元件,具有以下特點(diǎn):* 650V高電壓,可以承受較高的電壓,因此具有較高的功率輸出能力。* 內(nèi)置高雪崩能力,可以承受較高的電流,并且在發(fā)生雪崩時(shí)不會(huì)損壞,提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。* 內(nèi)置MOS的開關(guān)速度非???,可以實(shí)現(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換,減少了能量損失,因此是一種理想的功率半導(dǎo)體器件。該MOS還具有體積小、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)
wifi模塊降壓型芯片,智能家居PCBA降壓芯片,OC58658
OC58658是一款降壓型芯片,它特別適用于智能家居PCBA等需要穩(wěn)定電壓輸出的場(chǎng)合。這款芯片采用了**的開關(guān)降壓型DC-DC技術(shù),通過調(diào)整FB引腳的分壓電阻,可以精確地設(shè)定輸出恒壓值。 OC58658具有寬電壓輸入范圍,較高支持100V的輸入電壓,這使其能夠適應(yīng)各種復(fù)雜的供電環(huán)境。同時(shí),它還能提供大電流輸出,滿足智能家居設(shè)備對(duì)電流的需求。此外,該芯片還采用了固定頻率的PWM控制方式,有助于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)
氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,因其*特的物理和化學(xué)特性而被廣泛應(yīng)用于電子、光電子和微波通信等領(lǐng)域。關(guān)于2英寸氮化鎵和33w氮化鎵,這些都是氮化鎵材料在不同尺寸和功率規(guī)格下的應(yīng)用。 2英寸氮化鎵通常指的是直徑為2英寸的氮化鎵晶圓或晶片,這是半導(dǎo)體制造過程中的重要材料。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電學(xué)性能和穩(wěn)定性,因此被廣泛應(yīng)用于高功率電子器件、LED照明、激光器和微波通信等領(lǐng)域。 而33w氮化鎵則是指功率為
氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能和較高的能量轉(zhuǎn)換效率。而65W則代表充電器的功率大小,這種功率的充電器通常適用于筆記本電腦、平板電腦等設(shè)備的快速充電。 移速的65W氮化鎵充電器,顧名思義,就是采用了氮化鎵技術(shù),并且功率為65W的充電器。這種充電器通常具有體積小、重量輕、充電效率高等特點(diǎn),非常適合需要頻繁出差或旅行的用戶使用。同時(shí),由于氮化鎵材料的優(yōu)異性能,這種充電器在長(zhǎng)時(shí)間使用過程中
公司名: 久宇盛電子(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 周敏
電 話:
手 機(jī): 13318386410
微 信: 13318386410
地 址: 廣東佛山南海區(qū)深圳市龍崗區(qū)南灣街道寶丹路18號(hào)彩鳳工業(yè)園A棟5樓之一
郵 編:
網(wǎng) 址: jys888.b2b168.com
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直流電源,直流穩(wěn)壓電源,可編程直流測(cè)試電源
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