7MBP150TEA060-50 富士igbt芯片可控硅驅動

時間：2022-11-04

作者：上海寅涵智能科技發展有限公司

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原裝英飛凌DD231N26K 功率半導體二極管可控硅模塊
上海寅涵智能科技發展有限公司代理功率半導體產品及配套器件，IGBT以及配套驅動專業網上供應商。公司憑借多年的從業經驗、不懈的開拓精神及良好的商業信譽，在電力電子行業樹立了良好的企業形象，同時與多家電力電子企業和上市公司長期保持著穩定互信的合作關系，也是眾多電子廠商（英飛凌/Infineon凌、西門康/Semikron，艾塞斯/IXYS、富士/Fuji、三菱/Mitsubishi?、瑞士A
IGBT模塊使用中的注意事項？
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模
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英飛凌FF300R12KT4 二極管IGBT 全新原裝可控硅模塊
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