詞條
詞條說(shuō)明
ADM7160AUJZ-3.3-R7 ADM7160AUJZ-3.3-R2 TSOT5 全新原裝
ADM7160是一種超低噪聲、低輟學(xué)線性調(diào)節(jié)器,工作范圍從2.2V到5.5V,提供高達(dá)200mA的輸出電流。在200mA負(fù)載下的低150mV輟學(xué)電壓提高了效率,并允許在較寬的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 使用一種創(chuàng)新的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),ADM7160實(shí)現(xiàn)了不需要旁路電容器的超低噪聲性能,使該設(shè)備成為噪聲敏感的模擬前端和射頻應(yīng)用的理想選擇。ADM7160還在不影響PSRR或瞬態(tài)線和負(fù)載性能的情況下實(shí)現(xiàn)了超低噪聲
供應(yīng)原裝** 貼片 TPS22976DPUR 22976 WSON-14 雙通道負(fù)載開關(guān)芯片
說(shuō)明 TPS22976 產(chǎn)品系列包含三款器件:TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每款器件都是一個(gè)接通 受控的雙通道負(fù)載開關(guān)。此器件包含兩個(gè)可在 0.6V 至 5.7V 輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的 N 溝道 MOSFET,并且每通道可支持最大 6A 的持續(xù)電流。每個(gè)開關(guān)可由一個(gè)導(dǎo)通/關(guān)斷輸入(ON1 和 ON2)獨(dú)立控制,此輸入可與低壓控制信號(hào)直接連接。TPS22976 能夠在
原裝** MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲(chǔ)存器芯片IC
描述 DDR4sdram是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預(yù)取架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)高速操作。8n-預(yù)取體系結(jié)構(gòu)與一個(gè)接口相結(jié)合,該接口被設(shè)計(jì)用于在輸入/輸出引針的每個(gè)時(shí)鐘周期上傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。 針對(duì)DDR4sdram的單個(gè)READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM核心的單個(gè)8n位寬、四時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的
供應(yīng)全新原裝** PIC32MX130F064B-IML 集成電路IC 芯片
操作條件 ?2.3V至3.6V,-40oC至+105oC,直流至40 MHz ?2.3V至3.6V,-40oC至+85oC,直流至50 MHz 核心:50 MHz/83 DMIPS MIPS32?M4K? ?MIPS16e?模式,最大可減少40%的代碼大小 ?代碼高效(C和匯編)體系結(jié)構(gòu) ?單循環(huán)(MAC)32x16和雙循環(huán)32x32乘法 時(shí)鐘管理 ?0.9%內(nèi)部振蕩器 ?可編程PLL和振蕩器時(shí)鐘
公司名: 深圳市南北行電子發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 周斯琪
電 話: 13844481270
手 機(jī): 13714705290
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)深圳市福田區(qū)深南中路3024號(hào)航空大廈2507室
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網(wǎng) 址: nanbeixing.b2b168.com

全新原裝 ISL8014AIRZ QFN16 開關(guān)穩(wěn)壓器

NS2009 貼片MSOP10 音頻功放芯片

CH450H SOP-20 LED顯示驅(qū)動(dòng) 數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)及矩陣鍵盤控制芯片

LP5562TMX/NOPB 絲印D5 封裝DSBGA12 LED驅(qū)動(dòng)器芯片 全新原裝

原裝** LTM4630AIY LTM4630 LTM4630AY BGA-144 DC-DC電源

原裝**MT25QL128ABA1EW9-0SIT RW137 128MB WDFN-8 NOR閃存芯片

原裝** MT40A512M8RH 封裝FBGA-78 儲(chǔ)存器芯片IC

REF195FSZ-REEL 絲印REF195F 封裝 SOIC-8 電壓基準(zhǔn)芯片 原裝**
公司名: 深圳市南北行電子發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 周斯琪
手 機(jī): 13714705290
電 話: 13844481270
地 址: 廣東深圳福田區(qū)深圳市福田區(qū)深南中路3024號(hào)航空大廈2507室
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