供應(yīng)全新進(jìn)口 電池管理芯片 BQ2057CSNTR BQ2057CSN SOP-8 BQ2057C

時間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：86

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• BSR302N L6327 IR 全新原裝 現(xiàn)貨供應(yīng)

  OptiMOS? 2小信號晶體管 特征 ?N通道 ?增強(qiáng)模式 ?邏輯電平（4.5V） ?額定雪崩 ?與SOT23兼容的封裝外形 ?額定dv/dt ?無鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 參數(shù)符號條件單元 連續(xù)漏電流I D T A=25°C 3.7 A T A=70°C 2.9 脈沖漏極電流I D，脈沖T A=25°C 14.7 雪崩能量，單脈沖E，Id=3.7A，Rgs=25? 30兆焦耳 反向二極管dv/

• 全新原裝 AT91M55800A-33AU 封裝LQFP-176 微控制器芯片

  1.AT91M55800A是AtmelAT9116/32位微控制器系列的成員，該系列基于ARM7TDMI處理器核心。該處理器具有高性能的32位RISC架構(gòu)，具有高密度的16位指令集和非常低的功耗。此外，大量的內(nèi)部存儲寄存器會導(dǎo)致非常快速的異常處理，使該設(shè)備成為實(shí)時控制應(yīng)用程序的理想選擇。 完全可編程的外部總線接口提供了以一個時鐘周期的速度直接連接到片外存儲器的讀或?qū)懖僮鳌Ｒ粋€八級優(yōu)先級向量中斷控制

• 供應(yīng)全新原裝進(jìn)口FDMT80080DC 晶體管IC芯片 貼片VDFN8

  FDMT80080DC N溝道雙CoolTM 88 PowerTrench?MOSFET 80伏254安1.35兆歐 特征 在VGS=10 V，ID=36 A時，最大rDS（on）=1.35 mΩ 在VGS=8 V，ID=31 A時，最大rDS（on）=1.82 mΩ 用于低rDS的高級封裝和硅組合（on） 高效 下一代增強(qiáng)型車身二極管技術(shù)， 專為軟恢復(fù)而設(shè)計 ?薄型8x8mm MLP組件 ?MS

• ASMD1812-110 1812 1.1A 33V 4532集電通自恢復(fù)保險絲

  集電通實(shí)業(yè)有限公司是一家主要生產(chǎn)一次性和自恢復(fù)保險絲的廠家，下面介紹集電通的自恢復(fù)保險絲ASMD1812系列。 ASMD1812是無鉛表面貼裝型自恢復(fù)保險絲，體積是45*32貼片保險絲，ASMD1812系列在自恢復(fù)貼片保險絲中，體積是屬于中等，適合很多電子產(chǎn)品主板上使用，占用空間恰到好處。電壓范圍有6V-60V，電流有100MA-4A等規(guī)格（詳情請參考1812系列規(guī)格書）。最常用的型號有ASMD1