MOS管失效原因是什么？

時間：2019-12-18

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
閩臺STANSON廠家直銷STN4402 SOP-8 N30V 12A用于遙控器
STANSON原廠 STN4402替代AP4800AGM 、XZN4420、IRF7413、FDS6630A、Si4420、APM4820、AO4468、AO4566、AO4702、Si4882、SM4832NSK、SM4838NSK、SN4839NSK、Si4820、Si4128DY、AO4404B、UT4410、Si4894、AO4404、SM4850NSK、UT4422、AO4466、FDS
技術支持
司坦森已經(jīng)建立了直接的技術支持團隊，戰(zhàn)略定位在美國、臺北和深圳。我們提供完整的系統(tǒng)級支持，包括客戶板的設計和布局，為客戶快速投放市場的生產(chǎn)調試。我們經(jīng)驗豐富的本地技術人員包括現(xiàn)場銷售工程師，現(xiàn)場應用工程師，具有各種消費和工業(yè)產(chǎn)品設計的背景。 Stanson可以實時提供系統(tǒng)設計、具體應用建議和系統(tǒng)調試服務。我們努力成為我們的客戶，特別是在新產(chǎn)品開發(fā)領域的較佳合作伙伴。 Stanson has es
STC6301D
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應晶體管mos戰(zhàn)壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其中高側開關、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
MOS管STN2610 參數(shù) **0V 50A 應用于電子測量儀器原廠庫存足交貨快
STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25