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靶材便是快速荷能粒子負電子的總體目標原材料。靶材類型比較多,有金屬類、合金類、金屬氧化物類這些,用的領域也各有不同,運用很普遍。那麼普遍的金屬靶材有什么?普遍金屬靶材的類型如下所示基本金屬軋材鎂Mg、錳M、鐵Fe、鈷CO、鎳Ni、銅Cu、鋅Zn、鉛Pd、錫S、鋁AL小金屬靶材銦I、鍺Ge、鎵Ga、銻Sb、鉍Bi、鎘Cd硅化物金屬靶材鈦Ti、鍇Zr、鉿Hf、釩V鈮№b、鉭Ta、銘Cr、鉬M、鎢W、錸
貴金屬靶材是什么?有什么?選用精練、融化煅造、壓延加工或粉未冶金工業加工工藝生產的半導體元器件、紀錄新聞媒體顯示器件等的布線和塑料薄膜的貴金屬以及合金的濺射靶材。Au、Pt、Pd、Ag靶材用以電子器件和規模性電子器件,CoCrPt、CoPt和CoPd等合金靶材用以磁記錄。輕貴金屬銀、釕、銠、鈀的統稱。相對密度在10~12/cm中間。重貴金屬金、鋨、銥、鉑的統稱,相對密度在19~22g/cm3中間。
目前靶材的制備主要有鑄造法和粉末冶金法。鑄造法:將一定成分配比的合金原料熔煉,再將合金溶液澆注于模具中,形成鑄錠,最后經機械加工制成靶材,鑄造法在真空中熔煉、鑄造。常用的熔煉方法有真空感應熔煉、真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等,其優點是靶材雜質含量(特別是氣體雜質含量)低,密度高,可大型化;缺點是對熔點和密度相差較大的兩種或兩種以上金屬,普通熔煉法難以獲得成分均勻的合金靶材。粉末冶金法:將一定成分
1、 半導體濺射靶材行業市場空間廣根據統計,2015 年全球半導體材料銷售額為435 億美元,其中晶圓制造材料銷售額為242 億美元,封裝材料為193 億美元。在晶圓制造材料中,濺射靶材約占芯片制造材料市場的2.6%。在封裝測試材料中,濺射靶材約占封裝測試材料市場的2.7%。從2011-2015年,世界半導體用靶極濺射材料市場從10.1億美元,增長至11.4億美元,復合增長率為3.1%。2016年
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