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MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析 BJT?管并聯均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯mos管的問題。并聯mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數的篩選。 首先我們測試從某網店購買的IRF4
毫歐電阻的溫度影響精度測試分析 取樣電阻的溫度影響精度測試分析 分流器的精確測試分析 ? 分流器是測量直流電流用的,根據直流電流通過阻值很小的電阻時在電阻兩端產生電壓的原理制成。 在實際應用中,要測量一個很大的電流值,沒有大量程的電流表測量其電流,分流器就可以產生作用了。分流器兩端產生毫伏級直流電壓信號,使并接在該分流器兩端的計量表顯示電壓值,分流器的電阻時定值,通過計算得到實際測量的
**:5kHz電光調Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能! 電光調Q開關是利用晶體的電光效應制成的Q開關。電光調Q開關的開關速度快、器件的效率高等優點!但是正是由于較高的開關速度,在調Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應,這一效應增大了調Q開關的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應:調Q驅動器通過導線和晶體連接,連接導線等效為一個諧振電感L,晶體等效為一個諧振電容C,如圖1所示;電光調Q過程是一個高壓窄脈沖過程,高壓脈
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄
肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩壓可調電源反向連接二極管,測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結構如右圖所示,紅線所示連接1,黑線連接二極管2,撥動一下20KV穩壓電源的測試按鈕,即可在顯示屏上顯示二極管的反向電
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
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