惠州高壓可控硅研發(fā)也生產(chǎn)

時間：2025-11-25

作者：深圳市凱高達科技有限公司

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詞條說明
惠州高壓可控硅研發(fā)也生產(chǎn)
惠州高壓可控硅研發(fā)與生產(chǎn)在現(xiàn)代電力電子技術飛速發(fā)展的背景下，高壓可控硅作為半導體功率器件的重要組成部分，憑借其**的高電壓應對能力和精確的電流控制特性，已成為眾多工業(yè)和電力應用中的**元件。作為一家專注于半導體功率器件研發(fā)與銷售的企業(yè)，我們在惠州積極推進高壓可控硅的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為電子行業(yè)提供高性能、高可靠性的解決方案。高壓可控硅是半導體功率器件中應對高電壓環(huán)境的“能手”，在眾多工業(yè)和電力領域
可用石墨烯實現(xiàn)大功率半導體設備大幅降溫
據(jù)物理學家組織網(wǎng)5月9日(北京時間)報道，美國加州大學河濱分校伯恩斯工程學院的研究人員開發(fā)出一種新技術，可借助石墨烯實現(xiàn)大功率半導體設備的大幅降溫，解決在交通信號燈和電動汽車中使用的半導體材料散熱問題。相關研究報告5月8日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。自上世紀90年代以來，半導體材料氮化鎵(GaN)就被用于強光的制造，并因為高效和可耐高電壓工作而被用于無線設備中。然而就像所有大功率操作設備一樣，氮
單向可控硅BT169D性能解析與應用實踐
###?單向可控硅BT169D性能解析與應用實踐####?性能特征BT169D作為平面型塑封單向可控硅，其技術參數(shù)展現(xiàn)出的工程定位。在25℃環(huán)境溫度下，器件維持400V重復峰值電壓（VRRM）與4A通態(tài)平均電流（IT(AV)）的平衡設計，浪涌電流承受能力達到40A（50Hz/10ms）。觸發(fā)特性方面，門觸發(fā)電流（IGT）典型值0.2mA，觸發(fā)電壓（VGT）不過1.5V，適用于低
晶圓代工業(yè)軍備競賽再度展開臺積電與聯(lián)電擴產(chǎn)腳步絲毫不敢松懈
晶圓代工廠臺積電與聯(lián)電同步積極擴廠，12寸晶圓產(chǎn)能為兩公司擴產(chǎn)重點；晶圓代工業(yè)軍備競賽再度展開。盡管半導體產(chǎn)業(yè)今年成長恐將趨緩，**半導體業(yè)產(chǎn)值將僅較去年小幅成長2%至3%，不過，臺積電與聯(lián)電擴產(chǎn)腳步絲毫不敢松懈。繼臺積電于4月9日舉行南科晶圓14廠*5期新建工程動土典禮后，聯(lián)電也將跟進于5月24日舉行南科12A廠*5期及*6期廠房動土典禮。為滿足客戶28奈米制程強勁需求，以及加速20奈米制