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用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質,并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。 具有小的正電容溫度系數的電容器,用于高穩定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。 低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因為它們易于被脈沖電壓擊穿。 高
腐蝕 Etching 陽極和陰極金屬箔是由高純度的,很薄的只有0.02—0.1mm鋁箔做成的,為了增加盤面積和電容量,與電解液接觸的表面積的增加是通過蝕刻金屬箔去溶解鋁,使整個鋁箔的表面形成一個高密度的網狀的有幾十億個精細微管道的結構. 化成 Forming 陽極箔上有電容器的電介質.電介質是一層很薄的鋁氧化物,AL2O3,那是一個在陽極箔上的化學生長過程,這個過程叫“化成”. 這個電壓是最后電
電子元件失效方式有多種,其中硫化失效的,我們聽的比較少,所以也不被人們所重視,但是電子元件硫化會給我們個人甚至企業帶來嚴重的損失,因此系統了解貼片電阻硫化失效機理及硫化表現就變得非常重要。 有案例,新建冶煉廠運行一年左右,電子設備紛紛出現故障。失效分析發現,主因是電路板上含銀電子元件如風華貼片電阻、觸點開關、繼電器和LED等被硫化腐蝕而失效。常規厚膜貼片電阻器硫化失效后的現象主要有以下幾種: 電
哪些因素會導致高壓電容器的損耗 通常將電容器在電場作用下因發熱而消耗的能量稱為電容器的損耗。習慣上以損耗角正切tgδ表示電容器損耗的大小,而把tgδ稱為損耗因數。 高壓電容器能量的損耗分為介質損耗和金屬損耗兩部分。介質損耗包括介質的漏電流所引起的電導損耗以及介質較化引起的較化損耗等。金屬損耗包括金屬較板和引線端的接觸電阻引起的損耗。由于各種金屬材料的電阻率不同,金屬損耗隨頻率和溫度增高而增大的程
公司名: 深圳市新晨陽電子有限公司
聯系人: 羅智能
電 話: 0755-28682867
手 機: 15622766976
微 信: 15622766976
地 址: 廣東深圳寶安區深圳市光明新區公明街道長春路中鵬程工業園1棟3樓
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