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掃描電鏡(SEM) 服務(wù)介紹:SEM/EDX(形貌觀測、成分分析)掃描電鏡(SEM)可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長和強度實現(xiàn)的,根據(jù)不同元素特征X射線波長的不同來測定試樣所含的元素。通過對比不同元素譜線的強度可以測定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡(SEM)使用,可以對樣品進行微區(qū)成分分析。 服務(wù)范圍:**,航天,半導(dǎo)體,**
半導(dǎo)體技術(shù)公益課 2020年4月18日(周六) 題 目: 芯片流片前的物理驗證 簡 介: 1.**部分drc; 2.*二部分lvs; 時 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時 間 : 11:00-11:10 題 目:芯片失效分析方法及流程 簡 介:失效分析方法; 失效分析流程; 失效分析案例; 失效分析實驗室介紹。 分享時長:45分鐘 主 講人:趙俊紅就職于科委檢測中心,集成電
失效分析的作用 1、失效分析是要找出失效原因,采取有效措施,使同類失效事故不再重復(fù)發(fā)生,可避免較大的經(jīng)濟損失和人員傷亡; 2、促進科學(xué)技術(shù)的發(fā)展 a. 19世紀工業(yè)革命,蒸汽機的使用促進鐵路運輸,但連續(xù)發(fā)生多起因火車軸斷裂,列車出軌事故。 b. 大量斷軸分析和試驗研究表明:裂紋均從輪座內(nèi)緣尖角處開始。認識到:金屬在交變應(yīng)力下,即使應(yīng)力遠**金屬的抗拉強度,經(jīng)一定循環(huán)積累,也會發(fā)生斷裂,即“疲勞”
寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化鋁(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20 世紀信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機: 13488683602
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地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
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