聚焦離子束顯微鏡FIB應(yīng)用

時(shí)間：2020-03-25作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：154

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 常用失效分析方法

  芯片常用分析手段： 1、X-Ray 無(wú)損偵測(cè)，可用于檢測(cè) IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接 開路、短路或不正常連接的缺陷 封裝中的錫球完整性 2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 可對(duì)IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行非破壞性檢測(cè), 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ 晶元面脫層 錫球、晶元或填膠中的裂縫 封裝材料內(nèi)部的氣孔 各種孔洞

• 科研測(cè)試補(bǔ)貼90% 附申請(qǐng)鏈接

  科研測(cè)試補(bǔ)貼90% 附申請(qǐng)鏈接 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測(cè)試 今天 在北京地區(qū)注冊(cè)，具有獨(dú)立法人資格，在職正式職工不多于100人，營(yíng)業(yè)收入1000萬(wàn)元以下，注冊(cè)資金不**2000萬(wàn)元，具有健全的財(cái)務(wù)機(jī)構(gòu)，管理規(guī)范，無(wú)不良誠(chéng)信記錄； 每年度符合補(bǔ)貼要求的業(yè)務(wù)合同金額 10萬(wàn)元及以下的部分按照較高不**過(guò)90%的比例核定； **過(guò)10萬(wàn)元至50萬(wàn)元的部分按照較高不**過(guò)60%的比例核定； **過(guò)50萬(wàn)元至1

• 湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)

  湖北省集成電路產(chǎn)業(yè) 在國(guó)家大力推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)逐漸形成了以北京為**的京津翼地區(qū)、以上海為**的長(zhǎng)三角地區(qū)、以深圳為**的珠三角地區(qū)、以四川、重慶、湖北、湖南、安徽等為**的中西部地區(qū)四大產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。 隨著新一輪集成電路發(fā)展熱潮涌現(xiàn)，除京滬等地繼續(xù)**外，中西部地區(qū)省市雖為*二梯隊(duì)，卻也因西安、成都、重慶、武漢、長(zhǎng)沙、合肥等集成電路重點(diǎn)城市，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展較活躍的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)，其中湖北憑借著國(guó)

• 晶柱成長(zhǎng)制程

  《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來(lái)