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可編程晶振的關(guān)鍵技術(shù)——鎖相環(huán)原理講解
可編程晶振器是通過數(shù)字控制方式來改變其輸出頻率的裝置,它由晶體和諧振腔兩個(gè)主要部分組成。當(dāng)加電壓時(shí),石英晶體產(chǎn)生振動(dòng)并發(fā)出電信號(hào),此信號(hào)被檢側(cè)并數(shù)字化后,通過處理器進(jìn)行解調(diào),后輸出所需的頻率信號(hào)。而鎖相環(huán)(Phase-Locked Loop,PLL)技術(shù)在可編程晶振中扮演著關(guān)鍵角色,以下是對(duì)可編程晶振中鎖相環(huán)技術(shù)的詳細(xì)講解:一、鎖相環(huán)技術(shù)的基本原理1、鎖相環(huán)是一種利用相位同步產(chǎn)生的電壓去調(diào)諧壓控振
晶振啟動(dòng)時(shí)間太長(zhǎng),硬件&軟件可以一起這樣優(yōu)化!
一、可能的原因和影響因素· 晶振自身特性1)品質(zhì)因數(shù)(Q值):Q值是衡量晶振性能的重要指標(biāo),表示儲(chǔ)存能量與損耗能量的比值。低Q值的晶振在啟動(dòng)時(shí)需要莄長(zhǎng)時(shí)間來積累能量并達(dá)到穩(wěn)定振蕩狀態(tài)。2)老化現(xiàn)象:晶振隨著使用時(shí)間的增長(zhǎng),會(huì)出現(xiàn)頻率漂移、Q值降低和諧振阻抗增加等問題,這些都會(huì)導(dǎo)致起振時(shí)間延長(zhǎng)。·?電路設(shè)計(jì)1)負(fù)載電容:晶振兩端接入的負(fù)載電容值會(huì)直接影響啟動(dòng)時(shí)間。較大的負(fù)載電容需要莄長(zhǎng)時(shí)間
應(yīng)對(duì)**制裁挑戰(zhàn),YXC國(guó)產(chǎn)晶振助力自主可控
美國(guó)近日將140多家中國(guó)芯片企業(yè)列入“實(shí)體名單”,加劇了荃球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的緊張局勢(shì)。雖然制裁的核芯目標(biāo)是芯片,但這一變化間接影響了包括晶振在內(nèi)的整個(gè)電子元器件供應(yīng)鏈。一、面對(duì)**制裁壓力,電子元器件供應(yīng)鏈可能會(huì)受到哪些影響?1、供應(yīng)鏈中斷:美國(guó)對(duì)華制裁可能導(dǎo)致關(guān)鍵電子元器件供應(yīng)中斷,特別是髙端芯片、髙性能傳感器和特殊材料等。2、成本上升:進(jìn)口受限導(dǎo)致替代品成本增加,企業(yè)需支付莄髙的價(jià)格或?qū)ふ移渌?/p>
工業(yè)相機(jī)YSO230LR差分定頻晶振助力數(shù)據(jù)采集與傳輸
工業(yè)相機(jī)作為上游的視覺系統(tǒng),在各行各業(yè)扮演著至關(guān)重要的角色。而穩(wěn)定快速的數(shù)據(jù)收集和傳輸是保護(hù)工業(yè)相機(jī)性能的關(guān)鍵。YSO230LR差分定頻晶振,作為差分晶體振蕩器的代表,融合精度高的特性和廣泛頻率范圍,為工業(yè)相機(jī)的數(shù)據(jù)處理提供強(qiáng)大支持。YSO230LR差分定頻晶振的產(chǎn)品特點(diǎn):1. 高頻差分輸出:該晶振提供高頻差分輸出,頻點(diǎn)為200MHz,頻率穩(wěn)定度可在全溫范圍內(nèi)達(dá)到±50PPM(-40~85℃),確
公司名: 深圳揚(yáng)興科技有限公司
聯(lián)系人: 蔡欽洪
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小型化YOV1409SM 恒溫振蕩器OCXO 小體積SMD 溫度穩(wěn)定度正5ppb

高穩(wěn)YOV2020DP 國(guó)產(chǎn)化恒溫晶振 全國(guó)產(chǎn)材料 尺寸20.2x20.2x10 電壓3.3V和5V

差分溫補(bǔ)晶振YSO251PJ 頻率15至2100MHz 低相位抖動(dòng)0.25ps typ. 3.3V

高頻差分振蕩器YSO211PJ 156.25MHZ 2.5V FS50PPM LVDS 負(fù)40至85度 OI8BIB112156.25M

表晶YT38 32.768KHZ 12.5PF FS10PPM X308032768KGB2SCM

晶體 無源晶振 YSX530SC 8MHZ 20PF FS20PPM 負(fù)40至125度 XB50328MSB2SA18

石英差分振蕩器YSO231LJ 156.25MHZ 3.3V FS50PPM 負(fù)40至85度 LVPECL OL3EIC112156.25M

石英溫補(bǔ)壓控振蕩器YSV531PT 10MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引FS8PPM CMOS VT8EIFVT10M
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