供應TPS3808G01DBVR 貼片 SOT23-6 微處理器監控電路芯片全新原裝

時間：2021-12-27

作者：深圳市云創達科技有限公司

詞條
詞條說明
供應 SN74AUP1G00DCKR TI SC70-5 門較和反相器絲印:HAR原裝正品
描述這是一個單一的2輸入正納米門，是設計在德州儀器的**低功率技術。它以正邏輯的形式執行布爾函數Y=A×B或Y=A+B。 AUP系列設備的靜止功耗小于1μA，并采用了**小型的DPW軟件包。DPW封裝技術是集成電路封裝方面的重大突破。與其他包裝選項相比，它的0.64毫米平方毫米的微小足跡節省了顯著的板空間，同時仍然保留了傳統的制造友好型0.5毫米的鉛間距。該設備已完全*用于使用Ioff的部分斷電
供應原裝正品 TPS40210DRCR 封裝SON-10 絲印4210 開關穩壓器IC芯片
TPS40210和TPS40211是寬輸入電壓(4.5V至52V)，非同步升壓控制器。它們適用于需要接地源n通道FET的拓撲，包括增壓、后退、間隔和各種LED驅動程序應用程序。該設備的特點包括可編程的軟啟動，過流保護與自動重試，和可編程的振蕩器頻率。電流模式控制提供了改進的瞬態響應和簡化的回路補償。這兩部分之間的主要區別是誤差放大器調節FB引腳的參考電壓。特征 ?功能安**力 –可用于幫助實現
供應原裝正品 STP24N60DM2 封裝TO-220 600V24A MOS場效應管
描述這些FDmeshII+?低Qg功率MOSFETs與固有的快速恢復體二極管生產使用新一代的MDmesh?技術：MDmeshII+?低Qg。這些革命性的電力模塊將垂直結構與公司的帶布局聯系在一起，產生世界上較低電阻和門電荷之一。因此，它們適用于要求較高的高效轉換器，以及理想的橋接拓撲和ZVS相移轉換器。 n-通道600V，0.175Ωtyp.，18AFDmeshII+?低Qg功率MOSFETs在
供應 MMBT3904LP-7 XDFN1006-3 全新原裝晶體管三極管
特征 ? BVCEO>40V? IC=200mA高集電極電流 ? PD=1000mW功耗 ? 0.60mm2封裝面積，比SOT23小13倍 ? 0.5毫米高的封裝，較大限度地減少板外輪廓 ? 互補PNP型MMBT3906LP ? 完全無鉛且完全符合RoHS（注1和2）? 無鹵素和銻。“綠色”裝置（注3）? 適用于需要特定變更的汽車應用控制（即：符合AEC-Q101、具有P**能力的零件，以及